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TLC NAND闪存

最常用于具有高成本敏感性的大容量存储消费应用程序, 我们的三层细胞(TLC) NAND具有最高的细胞密度, 但一般较低的性能和耐久性规格. 128Gb的部分提供了与我们的128Gb MLC相同的容量，但在一个小28%的芯片上.

每个单元格存储三位, TLC NAND器件主要用于不需要顶级NAND性能和耐用性(更少的PROGRAM/ERASE周期)的消费沙巴体育结算平台，如USB拇指驱动器, 客户端ssd, 以及其他便携式媒体设备.

就像所有的原始NAND一样, TLC NAND需要一个外部控制器来辅助阵列管理, ECC, 穿平, 以及其他管理职能.

Density

选择密度
  • 256Gb
  • 512Gb
  • 1Tb
  • 2Tb
  • 4Tb
  • 8Tb
范围:256Gb - 8Tb
  • Width
    x8
  • Voltage
    3.3V
  • Package
    晶片,VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • Width
    x8
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • Package
    晶片,VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • Width
    x8
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • Package
    VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • Width
    x8
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • Package
    VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • Width
    x8
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • Package
    LBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • Width
    x8
  • Voltage
    3.3V
  • Package
    LBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
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