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创新并不方便. 它扰乱了. 这需要好奇心、坚韧和惊奇. 因为创新提出了棘手的问题. 为明天，也为所有今天使之成为现实的人，干杯.
我们的梦想家和开拓者团队重新定义了创新-设计和构建先进的内存和半导体技术，改变了一切可能.
有一个2.每瓦性能比前几代提高5倍, 美光的HBM3E沙巴体育结算平台创下了人工智能(AI)数据中心关键性能指标的记录, 容量和功率效率.
美光业界领先的232层3D NAND为端到端的新浪潮奠定了基础 技术创新. 凭借业界首创的232层先进技术，美光实现了最佳 行业存储密度，改进的性能和行业领先的I/O速度. 这有助于解锁 在客户端、移动端和数据端实现数字化、优化和自动化的新机遇 中心市场.
美光科技的领导地位建立在内存、存储、 半导体技术及其他领域. 获得我们的第50,000项专利是一个里程碑 反映了美光全球团队成员几十年来的创造力和他们的成就 以敬业精神推动创新.
1α (1-alpha)节点DRAM沙巴体育结算平台采用世界上最先进的DRAM制造 在钻头密度、功率和性能方面进行了重大改进. The 这种新的DRAM技术的应用是广泛和深远的增强 从移动设备到智能汽车的各种性能.
GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案，这是第一个 电力系统带宽高达每秒1tb /s. 多层次信令创新 GDDR6X打破了传统的带宽限制，创造了破纪录的速度 在下一代游戏中加速复杂图形工作负载的性能 应用程序.
全球首个176层3D NAND闪存实现前所未有， 行业领先的密度和性能. 总之，美光的新176层技术 先进的架构代表了根本性的突破，在 应用程序性能跨越一系列存储用例，跨越数据中心，智能化 边缘和移动设备.
美光开始出货业界首款基于革命性四能级电池的固态硬盘 NAND技术. 美光®5210 ION固态硬盘提供33%以上的比特密度 三层单元(TLC) NAND，寻址段以前与硬盘驱动器服务 (HDDs).
Micron®Authenta™技术有助于实现强大的加密物联网设备身份和安全性 闪存中的运行状况管理，为最低层提供独特的保护级别 物联网设备软件，从启动过程开始.
美光将其DDR4 nvdimm的密度提高到32GB，容量是以前的两倍 解决方案. nvdimm，也被称为持久存储器，甚至可以永久地将数据存储在DRAM中 断电后. 美光32GB NVDIMM-N模块提供高容量和非常快的速度 吞吐量.
这款内存的每引脚数据速率创历史新高，可实现巨大的图形性能和GPGPU 计算能力. GDDR5X提供了高达14Gb/s的数据速率，基本上翻了一番 先前GDDR5内存的带宽.
Xcella™行业联盟的创建有助于加速Xccela的采用 总线接口，一种新型的高性能数字互连，既适用于易失性 非易失性存储器.
3D NAND标志着半导体未来的一个重要转折点. 通过堆叠层 在数据存储单元的垂直方向上，3D NAND的容量是平面NAND的三倍 技术.
3D XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这种非易失性存储器高达 速度是NAND的1000倍，续航时间是NAND的1000倍.
这个单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度使经济高效、高容量的解决方案能够优化支持 大规模的数据密集型工作负载.
美光的16nm工艺技术在一个芯片上提供了16GB的存储空间 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 采用此工艺，单根300mm 晶圆可以创建近6TB的存储空间.
该解决方案结合了高性能PCI Express接口和热插拔接口.5-inch 外形因素和自定义美光控制器，为企业性能创造了新的选择 可伸缩性和可服务性.
DDR3L-RS存储器开创了“低功耗”DRAM解决方案的新类别，
为新一代高性能超薄设备提供更长的电池寿命，如
笔记本电脑、平板电脑和超级本系统.
*超极本是英特尔公司或其旗下公司的商标
在美国的子公司.S. 和/或其他国家.
这个128Gb的MLC内存可以在一个只有8个的指尖大小的封装中存储1Tb的数据 模具，树立新的存储基准. 此外，这个内存是第一个使用 创新的平面胞体结构，克服了标准浮栅的尺度限制 NAND.
混合内存立方体(HMC)是一种革命性的DRAM架构，它将高速逻辑与 一种采用硅通孔(TSV)技术的存储器芯片堆栈. 从HMC身上学到的经验还在继续 应用于未来的新兴存储技术.
在发布时，C300是业界最快的笔记本和台式机固态硬盘 PCs. 由于支持SATA III接口，这款SSD提供了6gb /s的显著性能 提高了数据传输、应用程序负载和启动时间的吞吐量速度.
螺距加倍技术是一种不需要增加钻头密度的光刻技术 光刻技术改变. 这种方法包括将钻头线分离成第一金属和第二金属 层，允许美光在现有的50nm技术上提供16Gb的MLC器件.
最初是为网络设计的，这种高性能的DRAM很快成为解决方案 一个意想不到的应用选择:基于dlp的电视和投影仪. 虽然密度增加了 随着时间的推移，低延迟DRAM仍然是当今网络应用程序的主要内容.
这款多层次单元(MLC) NAND闪存设备是业界首款32Gb单片闪存 NAND技术使高密度的固态存储能够在非常小的尺寸设备中实现， 包括数码相机，个人音乐播放器和数码摄像机.
这款内部开发的测试仪由美光公司专门用于提高DRAM测试吞吐量 和准确性. 美光继续发展这一测试平台，以满足新的和未来的存储器 标准.
美光的16GB DDR2模块在2000年代快速增长的服务器内存占用 虚拟化技术的兴起将多个应用程序打包到单个服务器上. These 高密度服务器模块是一个持续发展的趋势.
美光的16MB DRAM——建立在一个很小的33mm2芯片上——实现了更高的容量和容量 功耗低，占用空间小. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体， LPDRAM需求急剧增加，这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.
伪静态SRAM (PSRAM)提供了所需的高带宽，容量和低功耗 取代移动设备中的SRAM. 美光在PSRAM领域的领导地位为未来铺平了道路 今天在移动设备中使用的低功耗DRAM沙巴体育结算平台.
美光开发了一款全新的6F2 蜂窝架构将取代行业架构 8F2 单元标准，使每个晶圆的比特数增加约25%. This 更高密度的设计使美光重新获得了业界最先进的称号 具有成本竞争力的存储器生产商.
美光进入图像传感器领域，确立了该公司作为有能力制造图像传感器的创新者的地位 CMOS技术与图像质量竞争电荷耦合器件(CCD)传感器. 今天,互补金属氧化物半导体 传感器是所有类型的数码相机的标准配置，从智能手机到高端相机 专业的设备.
美光的1Gb DDR采用了世界上最先进的工艺技术(110nm)， 超过了仍在130纳米制程的半导体巨头英特尔和AMD. 这个芯片建立了 美光在密度和接口性能方面都是存储器行业的领导者.
美光创新的四数据速率(QDR)架构有效地使SRAM翻了一番 用于通信应用的带宽，如交换机和路由器. 这种独特的设计 两个端口以双倍的数据速率独立运行，导致每个时钟有四个数据项 cycle.
美光展示的武士双数据速率(DDR)芯片组证明了DDR内存 可以提供与竞争对手的Direct RDRAM解决方案相当的性能，但成本要低得多 cost. 最终，DDR将成为无可争议的行业标准接口 高性能DRAM.
16兆DRAM取代了美光的主流4兆DRAM沙巴体育结算平台线，这是密度上的一个里程碑. 这些更高容量的芯片恰逢微软发布Windows 3.1、哪个开车 最低PC内存要求为1兆字节.
1Mb的DRAM是密度上的一个里程碑，它成为了个人电脑和显卡的主要内存 在20世纪80年代末和90年代. 美光的1Mb DRAM实现了高容量SIMM模块 支持安装微软新Windows操作系统的个人电脑.
除了作为世界上最小的256K DRAM芯片推出外，该芯片还 代表了DRAM密度的行业里程碑. 通过使用更大更容易读取的内存 对于年轻人来说，256K DRAM是未来效率和盈利能力的跳板 内存启动.
虽然不是第一家生产64K DRAM的公司，但美光的工程师创造了一种更新、更小的DRAM 这个版本被誉为世界上最小的64K DRAM设计. 这种创新的设计 到1981年公司第一款64K沙巴体育结算平台的大批量生产.
美光成立之初是一家位于爱达荷州博伊西市地下室的四人半导体设计公司 牙科诊所. 美光的第一份合同是为Mostek设计64K内存芯片 公司.
超过45年, 我们的创新为世界上最重要的技术进步和市场转型发挥了重要作用.
DDR5, 迄今为止技术最先进的DRAM, 是否能够通过提供超过85%的内存性能提升来支持下一代服务器工作负载.
