232-Layer NAND Flash Memory

下一阶段的存储性能和密度为新一波的端到端技术创新.

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更多层,更创新,更先进

美光扩展3D NAND技术领先地位,232层NAND现已上市.

High Performance

拥有业界最快的NAND I/O速度2.每秒4gb (GB/s), 美光的232层NAND可满足以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量要求, 比如人工智能, unstructured databases, real-time analytics, and cloud computing.1

1NAND I/O speed is 1.市场推出时为6GB/s

Data Density

世界上密度最大的NAND为客户提供了设计灵活性,同时实现了每平方毫米最高的TLC密度(14).6 Gb/mm2. 面密度比竞争沙巴体育结算平台高35% ~ 100%.2

2基于公告时NAND目前出货的比较

Ubiquitous Applications

更大的存储容量——每个芯片可达1tb,每个封装可达2tb, 允许增加层堆叠-在更多设备中提供更多存储, enabling smarter, 更多功能的各种设备, from edge to cloud.


Market Segments

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Client

轻薄的移动笔记本电脑设计必须平衡对峰值性能的需求, 持久的电池寿命和圆滑的外形选择. 由于包装尺寸比前几代减少了28%, 美光232层NAND客户在使用thin时不必为了移动性和便携性而牺牲存储容量, light laptops.

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Mobile

美光的先进制程技术使NAND闪存创新成为可能,为空间受限和功耗敏感的移动终端用户设备优化移动存储解决方案铺平了道路. 美光232层NAND将允许低功耗应用在用户多任务时提供无缝体验, 下载或访问他们喜欢的内容.

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Intelligent Edge

更小的物理占用, 增加密度和低功耗的232层NAND与新兴的更快的需求相交, smaller, 边缘的节能存储. With high-capacity, 边缘的节能存储, 我们将在许多新的应用和服务中看到更大的创新和对存储的需求.

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Data Center

美光的232层NAND为数据中心提供了高性能, high-capacity, 高密度存储比上一代NAND提高了每比特的能量效率. 对于数据中心运营商来说,这些都是关键的进步,因为他们必须在满足电力需求的同时平衡不断增长的数据量, 房地产和可持续发展倡议.

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