美光的历史:我们的时间线

我们的创新历史

2023
2022
2021
2020
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2009
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2000
1999
1992
1988
1987
1984
1981
1979
1978
HBM3代

美光推出8高24GB HBM3E

有一个2.每瓦性能比前几代提高5倍, 美光的HBM3E沙巴体育结算平台创下了人工智能(AI)数据中心关键性能指标的记录, 容量和功率效率.

 美光推出全球首个232层与非芯片

美光推出全球首款232层与非芯片,巩固技术领先地位

美光业界领先的232层3 d与非为端到端的新浪潮奠定了基础 技术创新. 凭借业界首创的232层先进技术,美光实现了最佳 行业存储密度,改进的性能和行业领先的I/O速度. 这有助于解锁 在客户端、移动端和数据端实现数字化、优化和自动化的新机遇 中心市场.

美光获得5万项专利 

美光获得5万项专利

美光科技的领导地位建立在内存、存储、 半导体技术及其他领域. 获得我们的第50,000项专利是一个里程碑 反映了美光全球团队成员几十年来的创造力和他们的成就 以敬业精神推动创新.

推出业界首个1α 动态随机存取记忆体制程技术

1α (1-alpha)节点动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台采用世界上最先进的动态随机存取记忆体制造 在钻头密度、功率和性能方面进行了重大改进. 的 这种新的动态随机存取记忆体技术的应用是广泛和深远的增强 从移动设备到智能汽车的各种性能.

美光GDDR6X内存图像

推出GDDR6X后,存储器首次采用PAM4多级信令

GDDR6X是世界上最快的离散图形存储解决方案,这是第一个 电力系统带宽高达每秒1tb /s. 多层次信令创新 GDDR6X打破了传统的带宽限制,创造了破纪录的速度 在下一代游戏中加速复杂图形工作负载的性能 应用程序.

微米176层与非 

推出业界首款176层与非闪存

全球首个176层3 d与非闪存实现前所未有, 行业领先的密度和性能. 总之,美光的新176层技术 先进的架构代表了根本性的突破,在 应用程序性能跨越一系列存储用例,跨越数据中心,智能化 边缘和移动设备.

美光®5210 ION固态硬盘 

美光推出业界首款四能级单元与非固态硬盘

美光开始出货业界首款基于革命性四能级电池的固态硬盘 与非技术. 美光®5210 ION固态硬盘提供33%以上的比特密度 三层单元(TLC) 与非,寻址段以前与硬盘驱动器服务 (hdd).

微米®Authenta™技术 

美光宣布面向物联网设备的Authenta™安全技术

微米®Authenta™技术有助于实现强大的加密物联网设备身份和安全性 闪存中的运行状况管理,为最低层提供独特的保护级别 物联网设备软件,从启动过程开始.

微米NVDIMM-N模块 

微米将NVDIMM的容量加倍至32GB

美光将其DDR4 nvdimm的密度提高到32GB,容量是以前的两倍 解决方案. nvdimm,也被称为持久存储器,甚至可以永久地将数据存储在动态随机存取记忆体中 断电后. 美光32GB NVDIMM-N模块提供高容量和非常快的速度 吞吐量.

2016年:美光推出全球最快的图形动态随机存取记忆体——GDDR5X

美光推出全球最快的图形动态随机存取记忆体 GDDR5X

这款内存的每引脚数据速率创历史新高,可实现巨大的图形性能和GPGPU 计算能力. GDDR5X提供了高达14Gb/s的数据速率,基本上翻了一番 先前GDDR5内存的带宽.

微米 Xccela闪光 

美光成立Xccela™联盟推广新型接口总线

Xcella™行业联盟的创建有助于加速Xccela的采用 总线接口,一种新型的高性能数字互连,既适用于易失性 非易失性存储器.

2015年:美光和英特尔推出有史以来密度最高的3 d与非闪存

美光和英特尔推出3 d与非,有史以来开发的最高密度闪存

3 d与非标志着半导体未来的一个重要转折点. 通过堆叠层 在数据存储单元的垂直方向上,3 d与非的容量是平面与非的三倍 技术.

2015年:美光和英特尔宣布突破性内存3D XPoint™技术

美光和英特尔宣布3D XPoint™技术

3D XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这种非易失性存储器高达 速度是与非的1000倍,续航时间是与非的1000倍.

2014年:美光宣布业界首款单片8Gb 的DDR3 更快

美光率先推出单片8Gb 的DDR3 更快

这个单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度使经济高效、高容量的解决方案能够优化支持 大规模的数据密集型工作负载.

2013年:美光推出世界上最小的16nm 与非闪存器件

美光推出全球最小的16nm 与非闪存器件

美光的16nm工艺技术在一个芯片上提供了16GB的存储空间 有史以来密度最高的平面与非闪存. 采用此工艺,单根300mm 晶圆可以创建近6TB的存储空间.

2012年:美光宣布业界首个2.5英寸PCIe企业SSD

美光生产行业首个2.5英寸PCIe企业SSD

该解决方案结合了高性能PCI Express接口和热插拔接口.5英寸 外形因素和自定义美光控制器,为企业性能创造了新的选择 可伸缩性和可服务性.

2012年:美光为超极本™推出新型低功耗动态随机存取记忆体

美光为Ultrabook™设备推出新型低功耗动态随机存取记忆体

DDR3L-RS存储器开创了“低功耗”动态随机存取记忆体解决方案的新类别, 为新一代高性能超薄设备提供更长的电池寿命,如 笔记本电脑、平板电脑和超级本系统.
*超极本是英特尔公司或其旗下公司的商标 在美国的子公司.S. 和/或其他国家.

2011年:美光和英特尔宣布全球首款20nm 多层陶瓷与非

美光和英特尔宣布全球首款20nm 多层陶瓷与非

这个128Gb的MLC内存可以在一个只有8个的指尖大小的封装中存储1Tb的数据 模具,树立新的存储基准. 此外,这个内存是第一个使用 创新的平面胞体结构,克服了标准浮栅的尺度限制 与非.

2011年:美光首次推出混合内存立方体(HMC)架构

美光首次推出混合内存立方体(HMC)架构

混合内存立方体(HMC)是一种革命性的动态随机存取记忆体架构,它将高速逻辑与 一种采用硅通孔(TSV)技术的存储器芯片堆栈. 从HMC身上学到的经验还在继续 应用于未来的新兴存储技术.

2009年:美光推出业界最快的客户端固态硬盘RealSSD™C300

美光推出业界最快的客户端固态硬盘RealSSD™C300

在发布时,C300是业界最快的笔记本和台式机固态硬盘 个人电脑. 由于支持SATA III接口,这款SSD提供了6gb /s的显著性能 提高了数据传输、应用程序负载和启动时间的吞吐量速度.

2007年:美光开发出业界首个双间距与非

美光开发出业界首个双间距与非

螺距加倍技术是一种不需要增加钻头密度的光刻技术 光刻技术改变. 这种方法包括将钻头线分离成第一金属和第二金属 层,允许美光在现有的50nm技术上提供16Gb的MLC器件.

2007年:美光推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体-2内存

美光公司推出低延迟、低功耗RL动态随机存取记忆体 2内存

最初是为网络设计的,这种高性能的动态随机存取记忆体很快成为解决方案 一个意想不到的应用选择:基于dlp的电视和投影仪. 虽然密度增加了 随着时间的推移,低延迟动态随机存取记忆体仍然是当今网络应用程序的主要内容.

2007年:美光和英特尔首次推出低于40纳米的与非闪存

美光和英特尔首次推出低于40纳米的与非闪存

这款多层次单元(MLC) 与非闪存设备是业界首款32Gb单片闪存 与非技术使高密度的固态存储能够在非常小的尺寸设备中实现, 包括数码相机,个人音乐播放器和数码摄像机.

2006年:美光公司开发出精度更高、成本更低的猫鼬测试仪

美光开发猫鼬测试仪,提高精度,降低成本

这款内部开发的测试仪由美光公司专门用于提高动态随机存取记忆体测试吞吐量 和准确性. 美光继续发展这一测试平台,以满足新的和未来的存储器 标准.

2006年:美光推出世界上密度最高的服务器内存模块

美光推出全球密度最高的服务器内存模块

美光的16GB DDR2模块在2000年代快速增长的服务器内存占用 虚拟化技术的兴起将多个应用程序打包到单个服务器上. 这些 高密度服务器模块是一个持续发展的趋势.

2005年:美光推出高容量、低功耗移动LP动态随机存取记忆体

美光推出高容量、低功耗移动LP动态随机存取记忆体

美光的16MB 动态随机存取记忆体——建立在一个很小的33mm2芯片上——实现了更高的容量和容量 功耗低,占用空间小. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体, LP动态随机存取记忆体需求急剧增加,这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.

2004年:美光公司发布了用于手机的伪静态内存(PSRAM)

美光推出手机伪静态内存

伪静态SRAM (PSRAM)提供了所需的高带宽,容量和低功耗 取代移动设备中的SRAM. 美光在PSRAM领域的领导地位为未来铺平了道路 今天在移动设备中使用的低功耗动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台.

2004年:美光开发出业界首个6F2 动态随机存取记忆体单元

美光开发出业界首款6F芯片2 动态随机存取记忆体单元

美光开发了一款全新的6F2 蜂窝架构将取代行业架构 8F2 单元标准,使每个晶圆的比特数增加约25%. 这 更高密度的设计使美光重新获得了业界最先进的称号 具有成本竞争力的存储器生产商.

2003年:美光发展公司.300万像素CMOS图像传感器

微米开发1.300万像素CMOS图像传感器

美光进入图像传感器领域,确立了该公司作为有能力制造图像传感器的创新者的地位 CMOS技术与图像质量竞争电荷耦合器件(CCD)传感器. 今天,互补金属氧化物半导体 传感器是所有类型的数码相机的标准配置,从智能手机到高端相机 专业的设备.

2002年:美光在110纳米工艺上展示了业界首个1千兆DDR

美光展示业界首个110nm制程1gb DDR

美光的1Gb DDR采用了世界上最先进的工艺技术(110nm), 超过了仍在130纳米制程的半导体巨头英特尔和AMD. 这个芯片建立了 美光在密度和接口性能方面都是存储器行业的领导者.

2000年:美光发明QDR SRAM,使内存带宽翻倍

美光的四数据速率SRAM将内存带宽加倍

美光创新的四数据速率(QDR)架构有效地使SRAM翻了一番 用于通信应用的带宽,如交换机和路由器. 这种独特的设计 两个端口以双倍的数据速率独立运行,导致每个时钟有四个数据项 周期.

1999年:美光公司生产出业界首款双数据速率(DDR) 动态随机存取记忆体

美光生产业界首款DDR 动态随机存取记忆体

美光展示的武士双数据速率(DDR)芯片组证明了DDR内存 可以提供与竞争对手的Direct R动态随机存取记忆体解决方案相当的性能,但成本要低得多 成本. 最终,DDR将成为无可争议的行业标准接口 高性能动态随机存取记忆体.

1999年:美光16mb 动态随机存取记忆体支持新Windows 3电脑.1

美光16mb 动态随机存取记忆体支持新Windows 3电脑.1

16兆动态随机存取记忆体取代了美光的主流4兆动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台线,这是密度上的一个里程碑. 这些更高容量的芯片恰逢微软发布Windows 3.1、哪个开车 最低PC内存要求为1兆字节.

1988年:美光推出首款视频RAM和快速静态RAM沙巴体育结算平台

美光推出首款视频RAM和快速静态RAM沙巴体育结算平台

256K视频RAM和快速静态RAM的引入拓宽了美光的沙巴体育结算平台 超越传统动态随机存取记忆体的沙巴体育结算平台组合,使美光成为差异化内存领域的参与者 类型.

1988年:美光达到1兆动态随机存取记忆体里程碑

美光1兆动态随机存取记忆体上市

1Mb的动态随机存取记忆体是密度上的一个里程碑,它成为了个人电脑和显卡的主要内存 在20世纪80年代末和90年代. 美光的1Mb 动态随机存取记忆体实现了高容量SIMM模块 支持安装微软新Windows操作系统的个人电脑.

1984年:美光推出世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

美光推出全球最小的256K 动态随机存取记忆体芯片

除了作为世界上最小的256K 动态随机存取记忆体芯片推出外,该芯片还 代表了动态随机存取记忆体密度的行业里程碑. 通过使用更大更容易读取的内存 对于年轻人来说,256K 动态随机存取记忆体是未来效率和盈利能力的跳板 内存启动.

1981年:美光推出首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台

美光推出首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台

美光公司的64K 动态随机存取记忆体是该公司新建成的工厂生产的第一款沙巴体育结算平台 位于爱达荷州博伊西的制造工厂. 美光将其64K 动态随机存取记忆体卖给了许多首批沙巴体育结算平台 大量生产的个人电脑,包括Commodore 64家用电脑.

1979年:工程师完成了64K 动态随机存取记忆体的设计

美光工程师完成64K 动态随机存取记忆体设计

虽然不是第一家生产64K 动态随机存取记忆体的公司,但美光的工程师创造了一种更新、更小的动态随机存取记忆体 这个版本被誉为世界上最小的64K 动态随机存取记忆体设计. 这种创新的设计 到1981年公司第一款64K沙巴体育结算平台的大批量生产.

1978年:美光科技成立

美光科技成立

美光成立之初是一家位于爱达荷州博伊西市地下室的四人半导体设计公司 牙科诊所. 美光的第一份合同是为Mostek设计64K内存芯片 公司.

长期创新之路

美光成立于1978年,当时是一家只有四人的半导体设计公司,位于美国博伊西市的地下室, 爱达荷州, 牙科诊所. 到1980年,我们的第一家制造厂破土动工, 几年后,我们推出了世界上最小的256K 动态随机存取记忆体. In 1994, 我们在财富500强中占有一席之地,并通过我们的技术创新稳步成长为行业领导者, 关键合作伙伴, 以及全球范围内的战略性收购. 看看是哪些里程碑成就了今天的我们.

2023

  • 美光庆祝成立45周年th 周年纪念日
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.采用0
  • 美光开始在博伊西建造领先的内存制造工厂

2022

  • 美光公司推出了世界上最先进的1-Beta节点动态随机存取记忆体技术
  • 美光投资高达1000亿美元在纽约克莱建造巨型工厂
  • 美光在爱达荷州新厂投资150亿美元
  • 美光推出全球首款232层与非芯片
  • 美光风险投资基金II承诺为深度科技创业公司投资2亿美元
  • 美光获得5万项专利

2021

  • 美光在亚特兰大开设设计中心
  • 美光首次发行10亿美元绿色债券
  • 美光在尖端内存和R领域投资了1500多亿美元&D  
  • 美光实现全面的全球薪酬平等
  • 美光推出业界首款1α 动态随机存取记忆体技术

2020

  • 美光公司为弱势群体的社区发展拨款5000万美元
  • 美光向受COVID-19大流行影响的全球社区捐赠3500万美元
  • 美光推出全球首款176层与非闪存

2019

  • 《沙巴体育结算平台》将美光公司列入其多元化最佳雇主名单
  • 美光收购FWDNXT
  • 美光宣布在日本广岛建立先进技术动态随机存取记忆体中心

2018

  • 美光获得首个卓越工作场所®认证
  • 美光庆祝40周年:40年强大,更强
  • 美光宣布拨款100万美元,以促进对人工智能的好奇心
  • 美光在弗吉尼亚州马纳萨斯建立了长生命周期沙巴体育结算平台卓越中心

2017

  • 美光在台湾建立了大容量动态随机存取记忆体卓越中心.
  • 美光在博伊西建立卓越技术创新中心
  • 美光被评为多样性100强创新者 & Mogul的加入

2016

  • 美光收购intera记忆公司
  • 根据员工的意见,美光评选出了最受欢迎的财富500强公司之一
  • 美光在新加坡建立了与非卓越中心

2015

  • 美光在《沙巴体育结算平台》杂志评选的雇主50强中排名第一
  • 美光收购Tidal Systems
  • 美光收购康威电脑公司
  • 美光收购Pico Computing

2013

  • 美光收购尔必达内存公司. 和Rexchip电子公司

2010

  • 美光收购NOR制造商Numonyx B.V. 来自英特尔,意法半导体,N.V. 和Francisco Partners

2008

  • 美光与南亚成立动态随机存取记忆体合资企业intera Memories

2006

  • 美光收购Lexar 媒体

2005

  • 美光和英特尔成立了一家与非合资企业IM Flash Technologies

2004

  • 美光推出首款2gb 与非闪存沙巴体育结算平台

2002

  • 美光展示全球首款1gb DDR 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
  • 美光收购东芝在Dominion Semiconductor的商品动态随机存取记忆体业务, 有限责任公司, 日本东芝公司的子公司, 位于马纳萨斯, 维吉尼亚州

1999

  • 美光基金会的成立是为了推进STEM教育和支持社区.

1998

  • 美光收购德州仪器全球存储业务后,成为全球最大的存储器生产商之一

1996

  • 关键技术公司的创建是为了向最终用户推销和销售内存升级

1994

  • 美光首次入选《沙巴体育结算平台》500强公司,排名第402位

1987

  • 美光推出1兆动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台

1984

  • 美光推出全球最小的256K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台
  • 美光成为纳斯达克上市公司

1981

  • 首款64K 动态随机存取记忆体沙巴体育结算平台出货

1980

  • 美光在爱达荷州博伊西的第一个制造基地破土动工

1978

  • 美光科技有限公司.成立于10月10日. 5, 1978
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